1.半導体製造(はんどうたいせいぞう)フロー
（半導體製程）

1.半導体製造(はんどうたいせいぞう)フロー(（半導體製程）)

（1）設計(せっけい)（回路・パターンの設計、フォトマスク）（ウェハー製造工程）

• 回路設計は、使用する回路の中身や、回路の配置パターンなどを決める作業。具体的なパーツの配置して詳細な回路を検討することから「パターン設計」と呼ばれることもある。

• フォトマスクは、PETあるいはガラス基材で、回路をシリコンウェハに焼き付けるときに使用する。

• ウェハー製造工程において、シリコンウェハの材料となる単結晶インゴットは、高品質の多結晶シリコンを原料にして製造される。これをワイヤーソー等で薄くスライスし、ウェーハをつくる。シリコンウェーハ表面を研磨、超洗浄・検査が行われ、ウェハーが完成する。

（1）設計（電路、圖案設計、光罩）（晶圓製造工程）

• 電路設計是使用的電路内容及電路配置圖案等決定的程序。詳細的電路考量是透過具體的零件配置，因此被稱為圖案設計。

• 光罩是PET或玻璃基材，使用於矽晶圓上蝕刻電路。

• 晶圓製造過程中，單晶矽錠是製造矽晶圓的材料，由高品質的多晶矽製成。使用線鋸等將矽錠切成薄片製造出矽晶圓，再將矽晶圓表面透過研磨、高洗淨及檢查之後即完成矽晶圓。

（2）前工程(まえこうてい) (ウェハープロセス)　

• シリコンウェーハ表面上にトランジスタなどを含む電子回路を形成する。回路を形成するためには、成膜（deposition）、パターン転写（exposure）、エッチング（etching）を繰り返し行う。

• 具体的には、ウェーハ表面の酸化、薄膜形成、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離、洗浄、イオン注入、平坦化、電極形成、ウェーハ検査等の流れである。

（2）前段製程（晶片製造工程）

• 矽晶圓之表面上包含電晶體等形成之電子電路。為形成電子電路需要反覆進行成膜、曝光、蝕刻。

• 具體而言，包含晶圓表面之氧化、形成薄膜、光阻劑塗佈、曝光、蝕刻、抗蝕劑剝離、洗淨、離子佈植、平坦化、電極形成、晶圓檢查等程序。

ウェーハ表面の酸化（晶圓表面之氧化）

ウェーハ表面を酸化させ、絶縁層となる酸化膜を形成する。

酸化晶圓表面，形成絕緣層之氧化膜。

薄膜形成（薄膜形成）

ウェーハの上に配線を形成するための金属薄膜を形成します。

晶圓上面為配線形成之金屬薄膜。

パターン転写（曝光）

ウェーハの表面にフォトレジストを塗布し、フォトマスクに紫外線を照射することで、回路パターンを焼きつけるとともに、現像液で不要なフォトレジストを除去する。

晶圓表面上塗佈光阻劑，向光罩照射紫外線，燒光電路並使用顯影液除掉不需要的光阻劑。

エッジング（刻蝕）

不要な酸化膜を除去して半導体の回路を形成する。

除去不需要的氧化膜形成半導體電路。

レジスト剥離・洗浄（光阻剝離、洗浄）

エッチング後に、不要となったレジスト材料を除去する。

刻蝕之後除去不需要的光阻材料。

イオン注入・活性化（離子佈植、活化）

不純物をイオン化し、高電圧で加速することでウェーハに注入する。

將雜質離子化後，以高電壓加速並佈植到晶圓上。

平坦化（平坦化）

ウェーハ表面を削り表面を平坦にする。

削去晶圓表面，使表面平坦。

（3）後行程（ダイシング、ワイヤーボンディング、モールディング、最終検査）

• 出来上がったウェーハを切り出してICチップを作り、フレームに固定する。具体的には、ダイシング、パッケージング、最終検査という流れで行われる。

（3）後端製程（切割、打線接合、成形、最後檢查）

• 將切割出來的晶圓製造IC晶片，並固定於框架。具體而言，包含切割、封裝、最後檢查。

ダイシング（切割）

ウェーハから電子回路をICチップ状に切り出します。

從晶圓將電子回路以IC晶片形式切出。

パッケージング（封裝）

振動や衝撃、水分やほこりなどの影響による不良を防止する為にICチップを外界の影響から遮断し、保護する。

為防止受到振動、衝擊、水分及灰塵等影響，保護IC晶片免受外界影響。

最終検査（最後檢查）

電気特性試験や外観検査などの品質検査を行い、不良品を取り除く。

實施電氣特性試驗及外觀檢查等品質檢查，排除不良品。